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AO4407產(chǎn)品規(guī)格:
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
---|---|
類別 | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點 | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C | 12A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫歐 @ 12A, 20V |
Id 時的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs | 39nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds | 2600pF @ 15V |
功率 - 最大 | 3.1W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 | 8-SOIC |
包裝 | 帶卷 (TR) |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1668 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | 785-1022-2 |
場效應(yīng)管 - 分類簡介
微型場效應(yīng)管效果圖場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強型,結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管,而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)。
結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)
1、結(jié)型場效應(yīng)管的分類:結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管。
結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個電極,它們是:柵極;漏極;源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?BR> 2、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例),N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號,由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,故PN基本上是不導(dǎo)電的,形成了所謂耗盡區(qū),當(dāng)漏極電源電壓ED一定時,如果柵極電壓越負(fù),PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,漏極電流ID就愈;反之,如果柵極電壓沒有那么負(fù),則溝道變寬,ID變大,所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,就是說,場效應(yīng)管是電壓控制元件。
絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)
1、絕緣柵場效應(yīng)管的分類:絕緣柵場效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道型和P溝道型。無論是什麼溝道,它們又分為增強型和耗盡型兩種。
2、它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成,所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管,簡稱MOS場效應(yīng)管。
3、絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時,通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時,溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
場效應(yīng)管的式作方式有兩種:當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型,當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。
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