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- 產品價格:電議
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- 廠家:AOS
- 數(shù)量:1200000
AO3402產品規(guī)格:
標準包裝 | 3,000 |
---|---|
類別 | 分離式半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點 | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C | 4A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 55 毫歐 @ 4A, 10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大) | 1.4V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs | 4.34nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds | 390pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.4W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供應商設備封裝 | SOT-23-3 |
包裝 | 帶卷 (TR) |
產品目錄頁面 | 1667 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | 785-1002-2 |
工作原理
場效應管場效應管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經溝道的ID,用以門極與溝道間的pn結形成的反偏的門極電壓控制ID”。更正確地說,ID流經通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結反偏的變化,產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過渡層的擴展因為不很大,根據漏極-源極間所加VDS的電場,源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現(xiàn)象。其次,VGS向負的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,將電子拉向漂移方向的電場,只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。
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