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- 營(yíng)業(yè)執(zhí)照:已審核
經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)企業(yè)
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AO3402 MOSFET N 特低價(jià)供應(yīng)AOSIC,AO3402 MOSFET N IC,廠家直銷 量大優(yōu)惠
- 產(chǎn)品價(jià)格:電議
- 交易說(shuō)明:廠家直銷,質(zhì)量保證,價(jià)格優(yōu)惠!
- 廠家:AOS
- 數(shù)量:1200000
AO3402產(chǎn)品規(guī)格:
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
---|---|
類別 | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C | 4A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 55 毫歐 @ 4A, 10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) | 1.4V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs | 4.34nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds | 390pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.4W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 | SOT-23-3 |
包裝 | 帶卷 (TR) |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1667 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | 785-1002-2 |
工作原理
場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō),就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,用以門極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的門極電壓控制ID”。更正確地說(shuō),ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結(jié)反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽,根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng),源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。
在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng),在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng),實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門極下部附近,由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次,VGS向負(fù)的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上,將電子拉向漂移方向的電場(chǎng),只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。
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