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供應(yīng)SI2306MOSIC，VISHAY/國產(chǎn)/AT/ME品牌ICSI2306MOS 原裝現(xiàn)貨
- 產(chǎn)品價格：電議
- 交易說明：廠家直銷，質(zhì)量保證，價格優(yōu)惠！
- 廠家：VISHAY/國產(chǎn)/AT/ME
- 數(shù)量：120000
SI2306產(chǎn)品規(guī)格：
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制造商: |
Vishay |
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產(chǎn)品種類: |
MOSFET |
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晶體管極性: |
N-Channel |
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汲極/源極擊穿電壓: |
30 V |
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閘/源擊穿電壓: |
+/- 20 V |
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漏極連續(xù)電流: |
3.16 A |
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電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: |
0.047 Ohms |
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配置: |
Single |
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最大工作溫度: |
+ 150 C |
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安裝風(fēng)格: |
SMD/SMT |
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封裝 / 箱體: |
TO-236-3 |
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封裝: |
Reel |
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下降時間: |
12 ns |
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最小工作溫度: |
- 55 C |
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功率耗散: |
750 mW |
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上升時間: |
12 ns |
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工廠包裝數(shù)量 |
3000 |
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商標(biāo)名: |
TrenchFET |
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典型關(guān)閉延遲時間: |
14 ns 窗體底端 |
SI2306產(chǎn)品圖：
MOS場效應(yīng)管分類：
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時，管子是呈截止?fàn)顟B(tài)；加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。 以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。電位方向是從外向里，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID。 國產(chǎn)N溝道MOSFET的典型產(chǎn)品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管），4DO1（雙柵管）。 MOS場效應(yīng)管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此出廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內(nèi)，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時，全部引線也應(yīng)短接。在測量時應(yīng)格外小心，并采取相應(yīng)的防靜電感措施。