TLV2211IDBVR  產(chǎn)品描述

高級LinCMOSE軌到軌微功耗單運算放大器

高級LinCMOSE軌到軌
微功耗單運算放大器
輸出擺幅包括兩個供電軌
低噪聲。 。 。 NV / 21 / Hz的典型值在F = 1千赫
低輸入偏置電流。 。 。 1 pA的典型
非常低的功率。 。 。 13馬每通道的典型
共模輸入電壓范圍
包括負(fù)軌
寬電源電壓范圍
2.7 V至10 V
可在SOT-23封裝
宏模型包括
描述
TLV2211是一個單一的運算放大器，使用德州儀器高級LinCMOSE制造
的過程。這些設(shè)備進行了優(yōu)化，完全指定的單電源3 V和5 V操作。對于這個
結(jié)合微功耗水平低電壓運行，輸入噪聲電壓性能
大大提高了使用CMOS型放大器的優(yōu)化設(shè)計技術(shù)。另外補充
好處是，這些放大器表現(xiàn)出的軌到軌輸出擺幅。輸出動態(tài)范圍，可以延長使用
引用TLV2211與負(fù)載之間的鐵軌中間。共模輸入電壓范圍更寬
比一般標(biāo)準(zhǔn)的CMOS型放大器。考慮到利用這種性能的改善和
使該器件提供一個更廣泛的應(yīng)用，具有較大的最大輸入偏移指定VICR
±5毫伏電壓測試的限制，允許最低0至2 V共模輸入電壓范圍為3-V電源
供應(yīng)。
可選項
電訊管理局局長VIOmax在25°C
封裝設(shè)備
符號
芯片形式
采用SOT-23（DBV）†
（y）
0°C至70°C間3毫伏TLV2211CDBV VACC
TLV2211Y
-40°C至85°C間3毫伏TLV2211IDBV的Vaci
†的DBV包在磁帶和卷軸。
高級LinCMOS工藝采用硅門技術(shù)，獲得輸入失調(diào)電壓穩(wěn)定
溫度和時間遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過使用金屬柵極技術(shù)，索取。這項技術(shù)也使得
可能的輸入阻抗水平達(dá)到或超過頂柵JFET和昂貴的水平
介質(zhì)隔離裝置。
TLV2211，參展的高輸入阻抗和低噪聲，是優(yōu)秀的小信號調(diào)理
高阻抗信號源，如壓電傳感器。由于低功耗水平
3-V操作相結(jié)合，這些設(shè)備的工作以及在手持式監(jiān)測和遙感
應(yīng)用。此外，單或分割用品軌到軌輸出功能使這些器件的優(yōu)秀
選擇直接連接到模擬 - 數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）。所有這些功能結(jié)合其
高溫性能使遠(yuǎn)程壓力傳感器，溫度控制，主動TLV2211理想
電阻電壓（VR）的傳感器，加速度計，手持式測光，和許多其他應(yīng)用。

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