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長(zhǎng)期供應(yīng) 大量現(xiàn)貨Infineon Technologies BSC196N10NS G主營(yíng):Infineon Technologies分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 長(zhǎng)期供應(yīng) 大量現(xiàn)貨Infineon Technologies BSC196N10NS G主營(yíng):Infineon Technologies分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 產(chǎn)品價(jià)格:電話咨詢
  • 交易說(shuō)明:原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫(kù)存
  • 廠家:Infineon Technologies
  • 批號(hào):TDS0N-8
  • 數(shù)量:401
產(chǎn)品屬性
描述MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
RoHS無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
數(shù)據(jù)列表BSC196N10NS G
標(biāo)準(zhǔn)包裝5,000
類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭FET - 單
系列OptiMOS™
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C45A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.6 毫歐 @ 45A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 42µA
閘電荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds2300pF @ 50V
功率 - 最大78W
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TDSON-8
包裝帶卷 (TR)
其它名稱BSC196N10NS G-NDSP000379604

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