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產(chǎn)品分類
MW6S004NT1 產(chǎn)品信息:
產(chǎn)品種類: 射頻MOSFET電源晶體管
RoHS: 詳細信息
配置: Single
晶體管極性: N-Channel
頻率: 2 GHz
增益: 18 dB at 1.96 GHz
輸出功率: 4 W
汲極/源極擊穿電壓: 68 V
閘/源擊穿電壓: 12 V
最大工作溫度: + 150 C
封裝 / 箱體: PLD-1.5-3
封裝: Reel
最小工作溫度: - 65 C
安裝風格: SMD/SMT
工廠包裝數(shù)量: 1000
嚴格意義上講,晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。 晶體管有三個極;雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極 (Base) 和集電極(Collector); 場效應晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。 晶體管因為有三種極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨隅器)。
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