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- 產品價格：電話咨詢
- 交易說明：05+
- 廠家：Vishay Siliconix
- 批號：3
- 數(shù)量：600
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB |
| RoHS | 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求 |
| 標準包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分離式半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 | 標準型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) | 800V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C | 4.1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3 歐姆 @ 2.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 供應商設備封裝 | TO-220AB |
| 包裝 | 管件 |
| 其它名稱 | *IRFBE30PBF |
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