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SI5908DC-T1-E3原裝Vishay Siliconix分離式半導體產(chǎn)品現(xiàn)貨供應,環(huán)保現(xiàn)貨SI5908DC-T1-E3價格優(yōu)惠

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  • 產(chǎn)品價格:電話咨詢
  • 交易說明:原裝
  • 廠家:Vishay Siliconix
  • 數(shù)量:0
產(chǎn)品屬性
描述MOSFET DUAL N-CH 20V 4.4A 1206-8
RoHS無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
數(shù)據(jù)列表SI5908DC
標準包裝3,000
類別分離式半導體產(chǎn)品
家庭FET - 陣列
系列TrenchFET®
FET 型2 個 N 溝道(雙)
FET 特點邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 4.4A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大1.1W
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝1206-8 ChipFET?
包裝帶卷 (TR)
其它名稱SI5908DC-T1-E3TR

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