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- 營(yíng)業(yè)執(zhí)照:已審核
經(jīng)營(yíng)模式:經(jīng)銷(xiāo)商
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長(zhǎng)期低價(jià)批發(fā)高品質(zhì)ON Semiconductor品牌NSBA114EDXV6T1G分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品,量大優(yōu)惠
- 產(chǎn)品價(jià)格:電話咨詢(xún)
- 交易說(shuō)明:百分百原裝正品現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì),提供技術(shù)支持
- 廠家:ON Semiconductor
- 批號(hào):1136+
- 數(shù)量:23917
描述 | TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-563 |
RoHS | 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,000 |
類(lèi)別 | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 |
系列 | - |
晶體管類(lèi)型 | 2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式(雙) |
電流 - 集電極 (Ic)(最大) | 100mA |
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大) | 50V |
電阻器 - 基極 (R1)(歐) | 10k |
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐) | 10k |
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE) | 35 @ 5mA,10V |
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大) | 250mV @ 300µA,10mA |
電流 - 集電極截止(最大) | 500nA |
頻率 - 轉(zhuǎn)換 | - |
功率 - 最大 | 500mW |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | SOT-563,SOT-666 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 | SOT-563 |
包裝 | 帶卷 (TR) |
其它名稱(chēng) | NSBA114EDXV6T1G-NDNSBA114EDXV6T1GOSTR |


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價(jià)格:電話咨詢(xún),廠家:Fairchild Semiconductor,數(shù)量:5000,批號(hào):0732+。DTA114YET1原裝ON Semiconductor分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品現(xiàn)貨供應(yīng),環(huán),F(xiàn)貨DTA114YET1價(jià)格優(yōu)惠
價(jià)格:電話咨詢(xún),廠家:ON Semiconductor,數(shù)量:22686,批號(hào):1149+。